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    共振非彈性X射線散射(RIXS)技術(shù): 原理及應(yīng)用
    來源:本站 時(shí)間:2021-06-19 14:28:59 瀏覽:15755次

    1 引言

    1895年,倫琴對(duì)X射線的發(fā)現(xiàn)為物質(zhì)研究開辟了一個(gè)嶄新的領(lǐng)域。X射線波長(zhǎng)剛好與物質(zhì)內(nèi)原子間的距離相當(dāng)(10-10 m),因此當(dāng)X射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí),許多原子量級(jí)的微觀信息,諸如材料的晶體結(jié)構(gòu)、能帶構(gòu)成、振轉(zhuǎn)動(dòng)譜等均可被有效地獲得。隨后愛因斯坦提出的光電效應(yīng)以及德布羅意的物質(zhì)波理論為從量子物理角度來理解X射線與物質(zhì)相互作用奠定了深刻的基礎(chǔ)。在大型同步輻射裝置出現(xiàn)后,應(yīng)用X射線來對(duì)物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究成為材料領(lǐng)域的重要研究手段。

    共振非彈性X射線散射(RIXS)作為一種光子探測(cè)技術(shù)在過去十多年內(nèi)得到迅速發(fā)展。得益于光學(xué)元件等實(shí)驗(yàn)設(shè)備方面的進(jìn)步,目前RIXS的能量分辨率對(duì)于1000電子伏特左右的光子已提升至幾十個(gè)毫電子伏特,超高的能量分辨率使得人們能夠探測(cè)到材料內(nèi)部以往得不到的很多細(xì)節(jié),比如氧化銅中的低能磁振子激發(fā)及電聲子耦合相互作用。同時(shí),這些新的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)也反過來進(jìn)一步促進(jìn)的相關(guān)理論的發(fā)展,使該技術(shù)應(yīng)用更加廣泛。

    2 原理與特點(diǎn)

    2.1 RIXS原理

    與其他X射線散射技術(shù)類似,RIXS物理過程涉及二次光子散射,光子進(jìn)和光子出(phonton-in和phonton-out),其基本原理如圖1和圖2所示。首先入射光子把處于芯能級(jí)的電子共振激發(fā)到材料的價(jià)帶附近(圖1)或者是更高的導(dǎo)帶(圖2),形成中間態(tài),這一步可以看作是RIXS的吸收過程(absorption);隨后處于芯能級(jí)處的空穴受到激發(fā)電子或者價(jià)帶上的電子相互散射,強(qiáng)烈擾動(dòng)整個(gè)系統(tǒng),在經(jīng)過1-2飛秒后,導(dǎo)帶上的受激發(fā)或者價(jià)

    帶附近的電子退激發(fā)到芯空穴中,同時(shí)發(fā)射出另一個(gè)光子,該過程被稱為激發(fā)過程(emission)。

    對(duì)于不同的中間態(tài),RIXS可以分為直接RIXS和間接RIXS。圖1是一個(gè)直接RIXS的基本光激發(fā)過程,即:一定能量的入射光子把芯能級(jí)處的電子直接激發(fā)到系統(tǒng)價(jià)帶附近,這個(gè)受激發(fā)的電子隨后與價(jià)帶的電子系統(tǒng)直接相互作用,經(jīng)過一定的時(shí)間,在價(jià)帶上的另一個(gè)電子退激發(fā)下來,填充了在芯能級(jí)上的空態(tài),同時(shí)發(fā)射出一個(gè)新的光子。這樣的結(jié)果是整個(gè)系統(tǒng)在價(jià)帶上形成一個(gè)電子空穴對(duì)激發(fā),這個(gè)激發(fā)態(tài)在某些條件下能夠在材料中移動(dòng),所以可以表現(xiàn)出一定的動(dòng)量依賴行為。由于RIXS的兩個(gè)過程都必須滿足光躍遷定則,實(shí)驗(yàn)中常利用直接RIXS在氧,碳元素的K吸收邊或者是過渡金屬元素的L吸收邊。

    2是間接RIXS的基本過程。不同的是,在間接RIXS中,X射線直接將芯能級(jí)處的電子激發(fā)到空的導(dǎo)帶上,由于導(dǎo)帶所在的能量尺度一般比價(jià)帶高,此時(shí)價(jià)帶處的電子系統(tǒng)強(qiáng)烈地被芯空穴的庫倫作用相互作用所擾動(dòng);隨后經(jīng)過短暫時(shí)間,在導(dǎo)帶上的受激發(fā)電子躍遷下來填充掉芯空穴,與此同時(shí),價(jià)帶上的電子系統(tǒng)由于中間態(tài)的影響處在一個(gè)激發(fā)態(tài)。所以對(duì)間接RIXS

    而言,如果系統(tǒng)在中間態(tài)與芯空穴沒有相互作用,那么入射光子和出射光子的能量一樣,非彈性散射也就不會(huì)發(fā)生,即不發(fā)生間接RIXS過程。因此間接RIXS一般在過渡金屬元素的K吸收邊,如Cu K-edge。

    2.2 RIXS特點(diǎn)

    1.  體態(tài)敏感性

    RIXS測(cè)量中所用的X射線一般在幾百至上千個(gè)eV,這些高能量的X射線在材料中的穿透深度在幾百納米到微米的尺度上,所以使得RIXS探測(cè)到的信號(hào)都是材料內(nèi)部的一些本征信息。

    2. 元素,軌道唯一性

    由于RIXS實(shí)驗(yàn)一般會(huì)選在特定元素的特定吸收邊進(jìn)行測(cè)量,不同元素及同一元素不同吸收邊的X射線能量都不一樣,甚至在一些復(fù)雜體系中,同一元素同一吸收邊在不同的局部環(huán)境下也會(huì)有細(xì)微的差別,所以通過選擇特定吸收邊上的X射線,能夠探測(cè)某一環(huán)境下特定元素的電子行為。

    3. 微聚焦

    利用先進(jìn)的光學(xué)聚焦鏡,現(xiàn)代同步輻射上的X射線能夠聚焦到幾個(gè)納米,所以對(duì)于實(shí)驗(yàn)而言,一個(gè)與X射線尺寸相匹配的樣品

    即可用來測(cè)量,大大減輕了樣品合成的壓力。

    4.  偏振特性

    現(xiàn)代大型同步輻射產(chǎn)生的X射線一般具有非常好的偏振極化特性,考慮到材料電子不同自由度對(duì)于不同極化的X射線有不一樣的散射截面,通過調(diào)節(jié)X射線的極化方向,可以有選擇地探測(cè)電子的某一性質(zhì),如電子自旋翻轉(zhuǎn)的物理過程。

    3 應(yīng)用

    3.1 半導(dǎo)體和絕緣寬帶材料能帶色散

    對(duì)半導(dǎo)體和離子絕緣體等寬帶材料來說,電子-電子相互作用幾乎可以忽略,故RIXS散射過程可用單電子近似的能帶理論進(jìn)行解釋。而偶極躍遷定則使得RIXS譜反映的主要是局域部分能態(tài)密度,由于遵從能量及動(dòng)量守恒定律,激發(fā)和發(fā)射能量差將反映價(jià)帶到導(dǎo)帶的電子躍遷能量,而散射光子的動(dòng)量轉(zhuǎn)移將滿足導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的動(dòng)量差。對(duì)于輕元素如C,N的K邊,Si的L邊來說,動(dòng)量轉(zhuǎn)移一般可以忽略不計(jì),這使得導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴具有相同的晶格動(dòng)量。因此,我們可以通過選擇不同的激發(fā)能量來改變晶格動(dòng)量值,并由此對(duì)能帶色散進(jìn)行詳細(xì)的研究。

    3.2 4f強(qiáng)關(guān)聯(lián)及混合價(jià)態(tài)體系

    對(duì)于稀土強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系,4f電子和它本身或者復(fù)雜體系內(nèi)其他組分價(jià)電子的相互作用,是這個(gè)領(lǐng)域的中心問題。早期的硬X射線吸收譜研究雖然能夠提供晶體局域結(jié)構(gòu)的信息,但是其極短的壽命引起的能量展寬(對(duì)L邊一般是2 — 4 eV) 嚴(yán)重限制了一些精細(xì)結(jié)構(gòu)的探測(cè)。令人驚喜的是,通過RIXS,我們可以在很大程度上削減芯能級(jí)壽命展寬的限制。如2p-5d-3d RIXS,它激發(fā)2p芯電子到5d導(dǎo)帶上,然后探測(cè)3d-2p的偶極退激發(fā),普通吸收譜的末態(tài)在這里成為RIXS的中間態(tài)。 H?m?l?inen 等首次應(yīng)用這種方

    法對(duì)Dy化合物進(jìn)行了研究[1]。通過2p-5d (4f) -3d RIXS,作者獲得了普通吸收譜所觀察不到的2p-4f四極躍遷近邊結(jié)構(gòu),如圖3所示。

    隨后該方法又被廣泛應(yīng)用到其他更復(fù)雜的如Ce、La、Yb等具備復(fù)合價(jià)態(tài)的化合物中。一個(gè)典型的例子是Dallera [2]等應(yīng)用半熒光軟X吸收(PFY-XAS)和RIXS對(duì)YbInCu4和YbAgCu4重費(fèi)米子體系內(nèi)4f電子占有數(shù)進(jìn)行了量化分析。由于這些體系的基態(tài)具有兩個(gè)不同的量子軌道,Yb3+ (4f13) 和Yb2+ (4f14) ,兩者的組分隨溫度呈現(xiàn)一定的依賴關(guān)系。因此,確定組分比例隨溫度的變化關(guān)系成為研究的重點(diǎn)。當(dāng)應(yīng)用RIXS到Y(jié)b的L邊時(shí),他們發(fā)現(xiàn),不僅可以獲得Yb3+和Yb2+在高分辨吸收譜中的貢獻(xiàn)。更重要的是,通過共振激發(fā)Yb2+組分,兩種化合態(tài)在RIXS譜中可以很好地區(qū)別開來。故對(duì)兩者的相對(duì)強(qiáng)度隨溫度的變化進(jìn)行研究,即可給出4f電子占有數(shù)的溫度曲線。圖4列出了基于RIXS譜的YbAgCu4中Yb2+組分隨溫度變化的關(guān)系,其中細(xì)線為理論計(jì)算值??梢钥闯觯瑑烧叻系煤芎?。

    Yb體系相對(duì)應(yīng)的是Ce及其復(fù)雜化合物。Rueff[3]等通過將RIXS與高壓環(huán)境結(jié)合,對(duì)金屬Ce的4f電子占有數(shù)進(jìn)行研究,顯示了RIXS強(qiáng)有力的探測(cè)能力。除此之外,RIXS的這種高分辨的方法還被廣泛應(yīng)用到對(duì)3d過渡金屬化合物的研究中;或者還可以通過1s-4p-3p RIXS來對(duì)一些復(fù)雜化合物的自旋態(tài)進(jìn)行研究。

    3.3  高溫超導(dǎo)等強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系的低能激發(fā)

    對(duì)強(qiáng)關(guān)聯(lián)復(fù)雜氧化物如高溫超導(dǎo) (HTSC) 、巨磁阻 (CMR) 、稀磁半導(dǎo)體 (DMS) 等材料來說,一些精細(xì)電子結(jié)構(gòu)如dd電子激發(fā)、電荷轉(zhuǎn)移、電聲子耦合、自旋激發(fā)以及磁子聲子色散等信息,一直都是凝聚態(tài)物理研究的熱點(diǎn)。由于這些物理性質(zhì)一般都局限在meV到幾個(gè)eV能量范圍內(nèi),因此對(duì)它們的探測(cè)也成為RIXS研究的重要組成部分之一。在硬X射線范圍內(nèi),早在十多年前,RIXS已開始對(duì)銅氧化物高溫超導(dǎo)以及錳巨磁阻化合物的電荷轉(zhuǎn)移及dd激發(fā)以及它們的動(dòng)量依賴關(guān)系進(jìn)行了研究。

        5顯示的是Ca2CuO2Cl2的1s-4p-1s RIXS譜。由于在激發(fā)1s芯電子到4p連續(xù)帶的過程中,下Hubbard帶的價(jià)電子也隨之會(huì)被間接地激發(fā)到上Hubbard帶上,因此對(duì)K邊RIXS進(jìn)行研究,可以獲得這種通過Mott帶隙的電子空穴對(duì)的電荷轉(zhuǎn)移信息。從局域角度來看,激發(fā)產(chǎn)生的空穴一般形成Zhang-Rice單重態(tài) (Zhang-Rice singlet,ZRS) ,而躍遷電子則占據(jù)到臨近的Cu位上。圖5的RIXS結(jié)果表明,沿 (0,0) - (π,π) 方向的電荷轉(zhuǎn)移要明顯快于 (0,0) - (π,0) 方向,即電荷空穴對(duì)在反鐵磁母體內(nèi)的傳播是強(qiáng)烈各向異性的。

        與硬X射線RIXS不同的是,軟X射線RIXS一般由2p-3d-2p激發(fā)-退激發(fā)通道對(duì)3d復(fù)雜氧化物進(jìn)行探測(cè),即3d電子態(tài)直接參與RIXS散射過程。從某種程度上說,軟X射線RIXS可更直接地獲得3d態(tài)的電子結(jié)構(gòu)。在對(duì)MnO,NiO,CoO等氧化物的研究中,相對(duì)于硬X射線RIXS,局域dd激發(fā)和非局域的電荷轉(zhuǎn)移

    激發(fā)均可更容易地被觀察到。利用配位場(chǎng)知識(shí)并結(jié)合多重態(tài)理論計(jì)算,我們能夠精確地確定材料的晶體場(chǎng)分裂值 、庫侖相互作用力 (on-site Coulomb repulsion) Udd、以及電荷轉(zhuǎn)移值等。

    3.4  其他方向的應(yīng)用

    除了對(duì)凝聚態(tài)物理的貢獻(xiàn)外,RIXS在其他領(lǐng)域如氣體、液體、氣液固界面、納米材料、異質(zhì)結(jié)、生物化學(xué)、催化材料、地球物理學(xué)等等均有著非常重要的作用。

    (1) 液態(tài)物質(zhì)及固液界面:

    RIXS光子進(jìn)/光子出的性質(zhì)使得我們可以對(duì)液態(tài)物質(zhì)以及一些固體-液體的界面進(jìn)行探測(cè)。如,氣液態(tài)水、酒精-液態(tài)水混合體以及液態(tài)水與Pt金屬界面的電子結(jié)構(gòu);通過氧K邊RIXS確定含水物態(tài)中氫鍵的趨向和構(gòu)成。

    (2) 納米材料和異質(zhì)結(jié):

    在對(duì)納米材料如富勒烯、金屬富勒烯、碳納米管及納米過渡3d氧化物的研究中,RIXS具備較高的穿透性,可以探測(cè)XAS、光電子能譜無法達(dá)到的深度。

    (3) 復(fù)雜混合價(jià)態(tài)材料:

    RIXS對(duì)化合價(jià)態(tài)和軌道取向敏感,并具有適合原位探測(cè)的優(yōu)勢(shì),可以對(duì)一些混合價(jià)態(tài)體系如Li-Ni/Mn氧化物電池進(jìn)行原位研究,分析過程中的金屬價(jià)態(tài)變化。

    4 總結(jié)

    共振非彈性X射線散射是一種新生的譜學(xué)探測(cè)手段,雖然才發(fā)展了短短20多年時(shí)間,但它在凝聚態(tài)物理、材料科學(xué)、生物、化學(xué)以及地球物理等領(lǐng)域卻顯示了不可忽視的作用。近年來,隨著同步輻射光源亮度的提升,新光學(xué)器件及探測(cè)器的發(fā)明,

    使得RIXS的能量分辨率大幅提升,這不僅給研究凝聚態(tài)物理內(nèi)一些奇異物理性質(zhì)帶來了福音,而且給其他領(lǐng)域的復(fù)雜精細(xì)信息的探測(cè)也提供了很大的幫助。隨著國家對(duì)大型科研設(shè)施的不斷投入,RIXS這種探測(cè)方法將會(huì)成為國內(nèi)繼角分辨光電子譜和中子散射之后的另一個(gè)強(qiáng)有力的譜學(xué)探測(cè)技術(shù)。

    5 參考文獻(xiàn)

    [1] Hamalainen K,Siddons D P,Hastings J B et al. Phys. Rev . Lett.,1991,67: 2850.

    [2] Dallera C,Grioni M,Shukla A,et al. Phys. Rev. Lett.,2002,88,196403.

    [3] Rueff J P,ItiéJ P,Taguchi M,et al. Phys. Rev. Lett.,2006,96: 237403.

    [4] De Groot,P,Bergmann U et al., J. Phys. Chem. B,2005,109: 20751.

    [5] 周克瑾,共振非彈性X射線散射用于強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系的研究,中國科學(xué)院高能物理研究所博士論文,2007.

    [6] 維基百科.

    [7] 丁洪,共振非彈性X射線散射——一種新型的X射線譜學(xué)探測(cè)方法的介紹, 物理,2010,39(05),324.

     

     

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