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從Nature、Joule和EES等頂刊發(fā)文看太陽能電池最新進(jìn)展

來源：科學(xué)10分鐘時(shí)間：2021-08-10 14:02:10 瀏覽：2701次

引言

太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置，是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片，又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，在物理學(xué)上稱為太陽能光伏。其基本原理是，當(dāng)太陽光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上時(shí)，形成新的空穴-電子對，在p-n結(jié)內(nèi)建電場的作用下，光生空穴流向p區(qū)，光生電子流向n區(qū)，接通電路后就可產(chǎn)生電流。

目前，太陽能電池主要以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，根據(jù)太陽能電池的基本特性，可以將其劃分為硅太陽能電池；以無機(jī)鹽如砷化鎵、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池；功能高分子材料制備的太陽能電池；納米晶太陽能電池等幾大類。隨著傳統(tǒng)化石能源的枯竭，對太陽能、生物質(zhì)能等綠色新能源的開發(fā)迫在眉睫，對太陽能電池的研究也逐漸成為當(dāng)前學(xué)術(shù)領(lǐng)域的焦點(diǎn)之一。

國內(nèi)外許多太陽能電池領(lǐng)域的工作者共同推進(jìn)了該領(lǐng)域的發(fā)展，鑒于此，筆者一覽國內(nèi)外頂級期刊上近期對太陽能電池的研究，介紹解讀了其中部分有關(guān)太陽能電池的最新研究成果，希望能給相關(guān)科研工作者帶來一絲啟發(fā)。

最新成果速覽

1、Nature：鈣鈦礦太陽能電池有機(jī)中間層的CO₂摻雜

在鈣鈦礦太陽能電池中，摻雜有機(jī)半導(dǎo)體常被用作光敏層和電極之間的電荷提取中間層?？昭▽?dǎo)電層中最常用的半導(dǎo)體是π-共軛小分子2,2′,7,7′-四基(spiro-OMeTAD)，它的電性能直接決定著太陽能電池的電荷收集效率。為了提高該半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，最常采用的方法是采用雙(三氟甲烷)磺酰亞胺鋰(LiTFSI)摻雜，但這種方法耗時(shí)較長且受環(huán)境影響較大。

基于此，紐約大學(xué)的Taylor等人^[1]設(shè)計(jì)了一種快速且可重復(fù)的摻雜方法，作者在紫外光下用CO₂鼓泡spiro-OMeTAD: LiTFSI溶液。CO₂從光激發(fā)的spiro-OMeTAD中獲得電子，迅速促進(jìn)其p型摻雜并產(chǎn)生碳酸鹽沉淀。經(jīng)過CO₂處理的中間層的電導(dǎo)率比原始中間層高約100倍，同時(shí)無需任何后處理即可得到穩(wěn)定、高效的鈣鈦礦太陽能電池。這種摻雜過程將太陽能器件的制造時(shí)間縮短了幾個(gè)小時(shí)，同時(shí)從太陽能電池中去除了副反應(yīng)產(chǎn)生的有害化合物。研究結(jié)果表明，這種方法同樣可以用于π共軛聚合物的摻雜。

圖1氣體輔助摻雜過程及產(chǎn)物的光學(xué)性質(zhì)

2、Nature Energy：多晶CdSeTe太陽能電池的低溫有效非原位摻雜

多晶CdTe光伏器件的光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）已超過22%，是目前商用最成功的薄膜太陽能電池技術(shù)之一。CdTe基光伏組件的制造工藝包括三個(gè)關(guān)鍵步驟：吸光層（CdTe或CdSe/CdTe）的快速沉積（~600 °C）、CdCl₂處理（~400 °C）和Cu摻雜（~200 °C）。其中，Cu摻雜能夠增加吸光層中的空穴濃度，是目前高效CdTe太陽能電池的主流技術(shù)。但是Cu摻雜有以下缺點(diǎn)：（1）由于補(bǔ)償性缺陷的存在，Cu摻雜只能產(chǎn)生~10¹⁴ cm^-3的低空穴密度；（2）Cu離子容易在CdTe薄膜中遷移和擴(kuò)散，可能引起模塊不穩(wěn)定。

理論研究表明，V族元素（磷、砷、銻和鉍）摻雜技術(shù)能夠克服Cu摻雜的兩個(gè)主要缺點(diǎn)。目前，高效V族元素?fù)诫s的CdTe太陽能電池主要采用原位摻雜技術(shù)，即在CdTe薄膜沉積過程中使用Cd₃V₂或者V₂Te₃共價(jià)化合物作為摻雜劑進(jìn)行摻雜。該技術(shù)需要復(fù)雜的后續(xù)高溫退火過程來激活摻雜劑，到目前為止，仍然沒有高效可行的非原位摻雜工藝問世。

基于此，美國阿拉巴馬大學(xué)的Yan等人^[2]報(bào)道了一種新的高效非原位摻雜技術(shù)，即使用一系列V族高離子性材料（即V族氯化物（VCl₃），如PCl₃、AsCl₃、SbCl₃和BiCl₃）作為摻雜前驅(qū)體，在低溫條件下實(shí)現(xiàn)了有效的非原位V族元素?fù)诫s。結(jié)果表明，使用該技術(shù)可獲得高達(dá)5.88%的摻雜元素活化率，并實(shí)現(xiàn)了大于2×10¹⁵ cm^-3的空穴濃度和高于20 ns的載流子壽命。最終獲得了開路電壓（V_OC）高達(dá)863 mV的V族摻雜CdSeTe太陽能電池，高于Cu摻雜器件的852 mV。更重要的是，該技術(shù)與當(dāng)前工業(yè)生產(chǎn)線上的低溫非原位Cu摻雜工藝完全兼，從而為低成本制備V族元素?fù)诫s的多晶CdTe太陽能電池提供了可能，也為CdTe薄膜太陽能電池的研究開辟了新方向。

圖2多晶CdSeTe太陽能電池中的低溫非原位摻雜示意圖

3、Joule：效率超過15%的Cu(In, Ga)S₂薄膜太陽能電池

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，光伏器件的效率每年都在提高，正在逐漸接近其理論極限。為了進(jìn)一步的提高太陽能電池的性能，串聯(lián)太陽能電池被認(rèn)為是一種可行的方法。目前，優(yōu)異電池的主要標(biāo)準(zhǔn)是合適的帶隙、高的效率和穩(wěn)定性。硫化黃銅礦Cu(In, Ga)S2由于其在1.5~2.4 eV之間的可變帶隙，受到了極大的關(guān)注。Cu(In, Ga)S2采用了與高效Cu(In, Ga)Se2類似的黃銅礦結(jié)構(gòu)。

盡管使用Cu(In, Ga)(S, Se)2實(shí)現(xiàn)了23.35%的高光電轉(zhuǎn)換效率（PCE），但迄今為止，純硫化物Cu(In, Ga)S2太陽能電池的最高PCE仍被限制在15.5%。因此，確定損失的原因?qū)τ谔岣邔兞蚧顲u(In, Ga)S2黃銅礦的認(rèn)識，進(jìn)而提高其性能具有至關(guān)重要的意義。分析認(rèn)為，Cu(In, Ga)S2的主要問題是體相和界面處的光電壓(Voc) 損失。

有鑒于此，盧森堡大學(xué)Susanne等人[3]通過光致發(fā)光、陰極發(fā)光、電測量和從頭建模的組合，解決了體相和界面損耗，以改善1.6 eV帶隙的Cu(In, Ga)S2的器件性能。降低[Cu]/[Ga+In] (CGI)比值后，吸收體的光電質(zhì)量得到改善。這主要?dú)w因于抑制深缺陷、更高的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂(QFLS)、提高電荷載流子壽命和較高的Voc。進(jìn)一步通過比較各種固有缺陷的形成能量，將反位CuIn/CuGa 確定為限制性能的主要深度缺陷。在貧銅器件中使用Zn(O, S) 緩沖層抑制界面復(fù)合，使復(fù)合活化能等于帶隙值。最終開發(fā)了無H2S、無Cd和無KCN工藝的Cu(In, Ga)S2的器件制備，器件的效率為15.2%，Voc為902 mV。

圖3 Cu(In, Ga)S₂薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)

4、Advanced Functional Materials：具有優(yōu)異的單位重量功率性能的超柔性有機(jī)太陽能電池

輕薄柔性有機(jī)太陽能電池（OSCs）一直是新一代電源最有前景的選擇之一，特別是對于可穿戴電子系統(tǒng)（如電子紡織品和合成皮膚）。有機(jī)光伏材料的高消光系數(shù)和良好的延展性使得電池設(shè)計(jì)可以變得非常?。ㄍǔ５陀?00 nm），并且其與超薄塑料襯底具有良好兼容性，這引起了科研人員的極大關(guān)注。目前，新材料和新工藝的不斷涌現(xiàn)，使得剛性O(shè)SCs的能量轉(zhuǎn)換效率（PCE）得到迅速提高，但超薄超輕OSCs的發(fā)展仍然滯后，這極大限制了其在機(jī)械柔性方面的獨(dú)特優(yōu)勢。通過三元策略在活性層中引入具有延展性的第三組分材料或增加共混膜的無定型區(qū)域，非常有利于器件中機(jī)械應(yīng)力的消散，從而同時(shí)提高器件的PCE和機(jī)械柔韌性。

有鑒于此，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所葛子義團(tuán)隊(duì)^[4]通過在聚合物給體D18-Cl和受體Y6二元體系中引入各向同性的第三組分PC₇₁BM受體，調(diào)控三元體系的薄膜形貌和光吸收。研究發(fā)現(xiàn)，引入無定型構(gòu)象的PC₇₁BM客體可以減弱Y6受體的結(jié)晶和聚集，從而減輕共混薄膜的剛性和脆性?；钚詫友诱剐缘脑黾臃浅Ｓ幸嬗谔岣呷嵝云骷臋C(jī)械柔韌性?；贒18-Cl:Y6:PC₇₁BM的三元活性層，PC₇₁BM的引入增強(qiáng)了薄膜在300 nm～500 nm范圍的光吸收，提高了器件的光伏性能。該輕薄柔OSCs獲得了穩(wěn)定的15.5%效率，在沒有封裝的情況下，重量為 4.83 g m^-2的單位重量功率達(dá)到了 32.07 W g^-1。經(jīng)過 800 次連續(xù)拉伸-壓縮循環(huán)后測試，仍能保持初始PCE的83%。這項(xiàng)工作對于能經(jīng)受隨機(jī)褶皺變形而不損壞柔性器件的發(fā)展至關(guān)重要。

圖4 二元和三元共混薄膜的形態(tài)演變示意圖

5、Energy & Environmental Science：CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池效率突破16%

目前，無機(jī)CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)(PQD)在光伏領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用前景。然而，鈣鈦礦量子點(diǎn)的表面基質(zhì)在使用反溶劑的純化過程中存在顯著惡化現(xiàn)象，這在很大程度上影響了鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池的光電性能和穩(wěn)定性。

有鑒于此，北京航天航空大學(xué)張曉亮團(tuán)隊(duì)^[5]引入了“表面基質(zhì)固化”（SMC）策略來恢復(fù)CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)的表面基質(zhì)。使用叔丁基碘（TBI）和親核試劑三辛基膦（TOP）的親核取代反應(yīng)基本上恢復(fù)了具有碘化物空位的鈣鈦礦量子點(diǎn)表面基質(zhì)，這可以產(chǎn)生足夠的碘離子來填充鈣鈦礦量子點(diǎn)表面基質(zhì)的碘化物空位。通過這種策略，鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池的光電性能和穩(wěn)定性得到了很大的改善。

結(jié)果顯示，鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率提高至16.21%（穩(wěn)定功率輸出效率為15.45%），這是截止發(fā)文前無機(jī)CsPbI₃ 鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池中的最高值。鈣鈦礦量子點(diǎn)太陽能電池中光伏性能的提高歸因于顯著抑制了由鈣鈦礦量子點(diǎn)表面缺陷引起的電荷載流子復(fù)合。這項(xiàng)工作提供了對鈣鈦礦量子點(diǎn)表面化學(xué)的重要研究見解，并為實(shí)現(xiàn)高性能鈣鈦礦量子點(diǎn)光電器件提供了新途徑。

圖5 PQDs的表面基質(zhì)固化設(shè)計(jì)及結(jié)構(gòu)表征

6、Nature：通過增強(qiáng)電荷載流子管理來提高鈣鈦礦太陽能性能

金屬鹵化物鈣鈦礦太陽能電池（PSCs），是一種新興的光伏技術(shù)，有可能顛覆成熟的硅太陽能電池市場。在過去的幾年中，由于制造規(guī)程、化學(xué)成分和相位穩(wěn)定方法的發(fā)展，器件性能有了很大的改善，使PSCs成為最高效和最低成本的光伏技術(shù)之一。然而，PSCs器件的綜合性能仍然受到過多載流子復(fù)合的限制，相對較低的填充因子和較高的開路電壓也嚴(yán)重影響了PSCs的性能。其中，電荷載流子管理的改進(jìn)與填充因子和開路電壓密切相關(guān)，從而為提高PSCs的器件性能，并達(dá)到其理論效率極限，提供了一條途徑。

有鑒于此，美國麻省理工學(xué)院的Moungi等^[6]報(bào)告了一種通過增強(qiáng)電荷載流子管理，來提高PSCs性能的完整方法。作者首先通過調(diào)節(jié)化學(xué)鍍液沉積的二氧化錫（SnO₂），得到了一個(gè)理想的薄膜覆蓋、厚度和組成的電子傳遞層。隨后，作者將塊和接口之間的鈍化策略解耦，從而改善性能，同時(shí)最小化帶隙損失。在正向偏壓中，器件表現(xiàn)出高達(dá)17.2%的電致發(fā)光外量子效率和高達(dá)21.6%的電致發(fā)光能量轉(zhuǎn)換效率。作為太陽能電池，它有著25.2%的能量轉(zhuǎn)換效率，相當(dāng)于其帶隙熱力學(xué)極限的80.5%。這項(xiàng)工作為今后高效PSCs的發(fā)展提供了借鑒。

圖6 氧化錫膜的合成與表征

參考文獻(xiàn)

[1] Kong, J., Shin, Y., R?hr, J.A. et al. CO₂ doping of organic interlayers for perovskite solar cells. Nature 594, 51–56 (2021). https://doi.org/10.1038/s41586-021-03518-y.

[2] Li, DB., Yao, C., Vijayaraghavan, S.N. et al. Low-temperature and effective ex situ group V doping for efficient polycrystalline CdSeTe solar cells. Nat Energy (2021). https://doi.org/10.1038/s41560-021-00848-z.

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[5] Donglin Jia, Jingxuan Chen, Xinyi Mei, et al. Surface Matrix Curing of Inorganic CsPbI₃ Perovskite Quantum Dots for Solar Cells with Efficiency over 16%. Energy Environ. Sci., 2021. doi.org/10.1039/D1EE01463C.

[6] Yoo, J.J., Seo, G., Chua, M.R. et al. Efficient perovskite solar cells via improved carrier management. Nature 590, 587–593 (2021). https://doi.org/10.1038/s41586-021-03285-w.