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電子背散射衍射（EBSD）

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項(xiàng)目介紹

背散射電子衍射裝置（Electron Back Scatter Diffraction, EBSD）：是掃描電子顯微鏡（SEM）的附件之一。EBSD利用背散射電子衍射，獲取晶間取向、晶界類型、再結(jié)晶晶粒、微織構(gòu)、相辨別和晶粒尺寸測(cè)量等晶體學(xué)信息。

樣品要求

1. 樣品尺寸大小不超過(guò)8X8mm，厚度不超過(guò)3mm，測(cè)試面需要表面光滑，沒(méi)有明顯劃痕；

2. 若尺寸較大，請(qǐng)?zhí)崆熬€切割好，若需要我們線切割，需要額外收費(fèi)；

3. 送樣過(guò)程注意保護(hù)好測(cè)試面，避免劃傷；

4. 機(jī)械拋光適用于粗制樣品；電解拋光適合純金屬/第二相細(xì)小的合金；氬離子拋光適合金屬/金屬基復(fù)合材料，其拋光區(qū)域較小，一般800*800微米左右。

項(xiàng)目案列

EBSD微區(qū)取向成像

EBSD反極圖的面分布圖

背散射電子成像

EBSD微區(qū)成像

常見(jiàn)問(wèn)題

EBSD制樣有哪些方法？

機(jī)械拋光、震動(dòng)拋光、電解拋光、Ar離子拋光。

EBSD能標(biāo)定晶體取向嗎？

可以標(biāo)定晶體取向，此外，還可以表征晶粒結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸和晶界，但是無(wú)法把晶粒位置標(biāo)定在樣品上面。

EBSD制樣怎么選擇拋光方法？

一般情況下，成分單一的樣品選擇電解拋光；多相的、看樣品邊緣的、電解配方未知的、薄的樣品選擇震動(dòng)拋光；由硬材料和軟材料組成的復(fù)合材料樣品，需要精細(xì)地制作軟硬接合部的截面，則選擇Ar離子截面拋光。

EBSD分析思路？

微觀組織分析：主要通過(guò)分析取向分布圖實(shí)現(xiàn)，不同顏色的晶粒代表不同的取向，晶粒形狀大小反映材料變形或再結(jié)晶情況，根據(jù)相鄰晶粒夾角確定晶界類型，并用不同的顏色將晶界表示出來(lái)；

取向分析：兩個(gè)相鄰晶粒可以用歐拉角分析、極圖分析等，大范圍晶粒取向用極圖或反極圖分析。

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